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當(dāng)前位置:首頁新聞中心日本電子發(fā)布混合探測器:二次電子+陰極熒光,SEM成像分析一步提效

日本電子發(fā)布混合探測器:二次電子+陰極熒光,SEM成像分析一步提效

更新時間:2026-02-03點(diǎn)擊次數(shù):30

在材料檢測與研發(fā)中,科研人員常常面臨一個抉擇:用掃描電鏡(SEM)看清樣品形貌后,若想進(jìn)一步分析其成分、缺陷或發(fā)光特性,往往需要切換模式、更換探測器,甚至動用另一臺專用設(shè)備。這個過程耗時耗力,還可能丟失關(guān)鍵的原位關(guān)聯(lián)信息。

日本電子(JEOL)發(fā)布的應(yīng)用文檔,展示了一款低真空混合二次電子探測器(LHSED)如何為解決這一痛點(diǎn)提供新思路。它并非要取代任何專用分析設(shè)備,而是通過硬件創(chuàng)新,讓一臺常規(guī)的掃描電鏡在完成本職高分辨率形貌成像的同時,近期我司新推出升級了額外具備了快速獲取材料發(fā)光特性信息的能力。

技術(shù)核心:從“單一采集"到“光電雙路"的集成

傳統(tǒng)掃描電鏡的探測器各司其職:二次電子(SE)探測器負(fù)責(zé)形貌,背散射電子(BSE)探測器負(fù)責(zé)成分襯度,而要進(jìn)行陰極發(fā)光(CL)分析則需要復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)。LHSED的創(chuàng)新在于,它在一個探測器中集成了兩套信號采集通路。

1. 電子信號通路:繼承并優(yōu)化了低真空下的氣體放大技術(shù),用于采集高質(zhì)量的二次電子圖像,尤其改善了低真空模式下的實時成像速度和信噪比。

2. 光信號通路:新增了直接采集樣品受電子束激發(fā)所產(chǎn)生光信號(即陰極發(fā)光)的功能。


LHSED信號采集原理

LHSED的三種模式表

日本電子發(fā)布混合探測器:二次電子+陰極熒光,SEM成像分析一步提效

用戶只需在軟件界面切換“LSED-P"(形貌優(yōu)先)或“PD"(發(fā)光分析)模式,即可在同一位置、同一時間點(diǎn),先后獲得表面的精細(xì)形貌圖和反映材料內(nèi)部缺陷、雜質(zhì)或相分布的發(fā)光對比圖。這種設(shè)計避免了樣品移動和重新尋找視野,保證了兩種信息嚴(yán)格的空間對應(yīng)關(guān)系。

價值體現(xiàn):不是替代,而是效率與洞察力的提升

根據(jù)應(yīng)用文檔中的案例,這項集成技術(shù)在實際工作中帶來了可驗證的效率提升與功能補(bǔ)充。

1. 成像體驗優(yōu)化,操作更流暢

文檔通過對比名片表面的圖像直觀展示,在低真空模式下,新探測器的LSED-P模式獲得的實時圖像更平滑、細(xì)節(jié)更清晰。這使得用戶在觀察不導(dǎo)電樣品時,能更快地對焦和導(dǎo)航,將操作時間轉(zhuǎn)化為分析時間。

日本電子發(fā)布混合探測器:二次電子+陰極熒光,SEM成像分析一步提效

名片表面的低真空二次電子圖像。加速電壓5kV,放大倍率x30,000,掃描時間0.15秒;傳統(tǒng)低真空二次電子探測器(左),低真空混合二次電子探測器(右,LSED-P模式)

2. 快速篩查定位,引導(dǎo)深入分析
對于混合樣品中發(fā)光特性不同的組分,PD模式能實現(xiàn)快速可視化篩查。例如,在鋅粉中定位發(fā)光的氧化鋅夾雜物,或在LED芯片斷裂面快速定位發(fā)光區(qū)域。這相當(dāng)于為研究人員提供了一個“材料特性指示器",能快速鎖定感興趣區(qū)域,從而更有目的地使用能譜儀(EDS)或?qū)I(yè)CL系統(tǒng)進(jìn)行后續(xù)定量分析,提升了整體研究的工作流效率。

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Zn顆粒及其中ZnO顆粒的SEM圖像和元素面分布圖像。加速電壓:10kV,放大倍率:x3,000

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Zn顆粒和ZnO顆粒的拼接圖像。加速電壓5kV,單視野放大倍率x30,000,觀察范圍0.852x0.314mm

3. 缺陷直觀呈現(xiàn),提供質(zhì)量控制新視角
在氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體襯底的檢測中,文檔顯示PD模式可以清晰揭示傳統(tǒng)電子圖像難以顯現(xiàn)的晶體位錯網(wǎng)絡(luò)。結(jié)合圖像處理軟件,可對這些缺陷進(jìn)行快速統(tǒng)計和面積估算。這為半導(dǎo)體工業(yè)的工藝監(jiān)控和失效分析提供了一個快速、直觀的輔助工具。

(a)晶體中的滑移變形,(b)位錯

日本電子發(fā)布混合探測器:二次電子+陰極熒光,SEM成像分析一步提效

PD圖像與圖像分析軟件的結(jié)合可用于GaN的位錯面積和位錯密度測試

小結(jié):掃描電鏡功能的實用拓展

日本電子的這項LHSED技術(shù),其核心價值在于通過探測器層面的集成創(chuàng)新,務(wù)實拓展了掃描電鏡的平臺功能。

它使得形貌觀察與材料發(fā)光特性分析這兩個原本分離的工作步驟,得以在單一設(shè)備上無縫銜接。這尤其適用于需要將微觀結(jié)構(gòu)與材料性能進(jìn)行快速關(guān)聯(lián)的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體失效分析、新型光電材料研發(fā)、地質(zhì)礦物鑒定等。

對于用戶而言,它意味著在不解破真空、不更換樣品的前提下,就能獲得更豐富、更具關(guān)聯(lián)性的多維信息,從而做出更高效、更準(zhǔn)確的分析決策。這標(biāo)志著掃描電鏡正從一個的成像工具,向一個功能更集成、信息更立體的綜合分析平臺演進(jìn)。